Модуль Памяти Оперативная Планка ОЗУ Micron RAM DRAM 4GB 2400MHz DDR4

Продам оперативную память динамическая модульная плата RAM (random access memory) ОЗУ від Micron DDR4 4 GB 4 гб SDRAM 2400 PC42400T iMac 27" intel core i5 [MNE92LL/A]

Ціна за платку 630 гривень за 1 шт

Micron - виробляє близько чверті світової памьяті DRAM (DYNAMIC Random Access Memory) включно відео-памьять NVIDIA, AMD в їх графічних процесорах, також паралельно ця компанія Micron має свою лінійку виробництва DRAM та твердотильних накопичувачів (SSD) brand 'Crucial'. Це світовий лідер та гігант який фактично є виробником та провідним лідером постачання (SSD)

Технічні характеристики
Бренд Micron DDR4 виробляється на заводах Micron по всьому світу, включаючи Вірджинію, Японію та Тайвань
Обьєм оперативної памьяті 1x - 4 ГБ
Тип оперативної памьяті PC4-19200 DDR4 (Double Data Rate), SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory)
Швидкість оперативної памьяті 2400 МГц
Запис та читання відбувається одночасно зі всіма чіпами в загальному каналі памьяті з використанням одного і того ж 31 бітного адресата командних потокових проводків чи шляхів, але з різними (НАНО) проводками даних до кожного чіпа - окремо

Модуль памяті 2400MT/s 38-38-38
Напруга живлення від негативної 0.0 В. до 1.2 Вольт - 1.2 Volts
Осередки (ячейки) 1T1C мають всі ідентичну здатність та спроможність та ультра розмір (в декілька НАНО розмірних габаритів) - які мають побудовану структуру і складаються з транзистора (який викор. для ізоляції) конденсатора який в свою чергу накопичує електричний заряд чи електрон у вигляді 1 біта даних в одному конденсаторі, матеріал в цьому конд. це ел.провідний чи активний - кремній з рядністью 1 вольт, та негативний (ДЕрядність) який розряжає конд. в нуль 0.0 вольт
Ємність модуль 4 ГБ (кожний окремий банк на платі має накопичення до 1 Гб даних)
Схема таймінгів CL38
Робоча температура -40 C до +95 C , 0 C до +95 C
Розміри 69,6 мм x 30 мм
Ширина (поперечна) 30 мм
загальна Довжина плати 70 мм
Діагональ 75 мм
кількість Pin 72 контактів -розділовий ключ- 58 контактів х2 контактів 130
Мікропроцесорів памьяті - 4
Радіатори охолодження - Немає
Колір Чорний
По одному отвору для затискання фіксаторів плати з обох боків

DDR4 додав кілька нових функцій енергозбереження порівняно з DDR3, зокрема
1 Знижена потужність драйверів псевдовідкритого стоку для контактів DQ
2 Додатковий режим вимкнення вхідного буфера ODT для функції вимкнення живлення
3 Додаткова функція режиму максимального енергозбереження
4 Додаткова затримка адреси команди (CAL)

DDR4 підтримує режим вимкнення DLL, подібний до режиму вимкнення DLL у DDR3, до 125 МГц
DDR4 тепер має тестовий режим підключення, щоб спростити тестування за допомогою контролера з підтримкою граничного сканування. Розроблений для роботи з пристроєм граничного сканування, режим КТ підтримується всіма пристроями Micron 4/8/16 Гб (хоча JEDEC вимагає лише для x16). Модель CT дозволяє пристрою граничного сканування завантажувати та зчитувати шаблон із DDR4 у режимі CT. DDR4 безпосередньо не підтримує IEEE 1149.1
DDR4 зберегла 8-бітну попередню вибірку, яка використовувалася DDR3; таким чином, BL8 все ще підтримується
блок DDR4 відрізняється від блоку DDR3. Однак DDR4 використовує ті самі розміри упаковки та крок pins/кулі, що й DDR3
для DDR3 потрібні VDD і VDDQ, що дорівнює 1,5 в VREFCA, що дорівнює 0,5 x VDD, і VREFDQ, що дорівнює 0,5 x VDDQ, тоді як DDR4 вимагає VDD і VDDQ, що дорівнює 1,2 в VREFCA, що дорівнює 0,5 x VDD, і VPP, що дорівнює 2,5 V
DDR4 все ще використовує кінцеву насадку VTT на шині даних для гарної якості сигналу, однак вона використовує драйвери псевдовідкритого стоку для меншого струму перемикання порівняно з повними драйверами двотактного типу
для DDR4 не потрібен зовнішній VREFDQ, але він надає внутрішньо згенерований VREFDQ, який вимагає калібрування контролером DRAM
DDR4 має зворотну сумісність ще з DDR3-1333. Для систем, які не потребують збільшення швидкості вище DDR3-1333 і DDR3-1600, DDR4 може підтримувати ці вимоги до повільної пропускної здатності зі значно меншими вимогами до потужності

ФУНКЦІЇ/ОПЦІЇ/ТЕХНОЛОГІЇ DDR4
Напруга (ядро та вхід/вихід) 1,2 В./V. ПЕРЕВАГА - Зменшує споживання енергії пам'яті
Входи VREF 1 CMD/ADDR ПЕРЕ - VREFDQ тепер внутрішній
Стандарт низької напруги Немає. ПЕРЕ - Зниження потужності пам'яті
Швидкість передачі даних (Мб/с) 1600Мгц/1866Мгц/2133Мгц/2400Мгц/2666Мгц/3200Mhz ПЕРЕ - Перехід до високошвидкісного введення-виведення
Щільності 2 Гб16 Гб. ПЕРЕ - Кращі можливості для підсистем памяті великої ємності
Внутрішні банки 16. ПЕРЕ - Більше банків
Банківські групи (BG) 4. ПЕРЕ - Швидший пакетний доступ
tCK DLL увімкнено 667 МГц до 1,6 ГГц. ПЕРЕ - Більш висока швидкість передачі даних
t CK DLL вимкнено Невизначено до 125 МГц. ПЕРЕ - DLL-off тепер повністю підтримується
Затримка читання AL + CL. ПЕРЕ - Розширені значення
Затримка запису AL + CWL. ПЕРЕ - Розширені значення
Драйвер DQ (ALT) 48 Ом. ПЕРЕ - Оптимізовано для додатків PtP (точка-точка)
Автобус DQ POD12. ПЕРЕ - Зменшення шуму вводу-виводу та живлення
Значення RTT (в Ω Ом) 240, 120, 80, 60, 48, 40, 34. ПЕРЕ - Підтримка вищої швидкості передачі даних
RTT заборонено Вимикається під час пакетів READ. ПЕРЕ - Простота використання
Режими ODT Іменний, динамічний, парковий. ПЕРЕ - Додатковий режим управління підтримує зміну значення OTF

Ідентифікація Моноблоку Retina 5K, середина Mid 2017 р. MNE92LL/A - iMac 18,3 - A1419 - 3070
Плати в робочому стані ЧУДОВО ПРАЦЮЮТЬ - користована деталь, продаю тому що планую збільшити обьєм до 32-х Гб

продаж поштучно чи разом на вибір
ГОТОВИЙ ОБМІНЯТИ 4 шт. - 16 ГБ., чи ІДЕНТИЧНИМ НОМІНАЛОМ НА ОДНУ ПЛАТУ - 16 ГБ
4 плати по одному номіналу [4x1] модулів
Дані Моделі support.apple.com/kb/SP760?locale=uk_UA
micron . com / products / memory / dram-modules / sodimm
micron . com / products / memory / dram-modules / udimm
youtube com / watch?v = YCEcVG2S_c0

youtube . com / watch?v=1Chc21etvqI

youtube . com / watch?v=7J7X7aZvMXQ

olx . ua / d / obyavlenie / operativka-ozu-micron-ddr4-sodim-2400-dinamiche-dram-ozu-micron-ddr4-gb-IDQjQNo . html